Перевод: со всех языков на все языки

со всех языков на все языки

deep-depletion transistor

См. также в других словарях:

  • deep depletion layer transistor — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • transistor à couche de déplétion profonde — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Transistor mit Hochverarmungsschicht — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • transistor — /tran zis teuhr/, n. 1. Electronics. a semiconductor device that amplifies, oscillates, or switches the flow of current between two terminals by varying the current or voltage between one of the terminals and a third: although much smaller in… …   Universalium

  • tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно обеднённым слоем, m pranc. transistor à couche… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • транзистор с глубокообеднённым слоем — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • транзистор со сильно обеднённым слоем — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • PIN diode — Layers of a PIN diode A PIN diode is a diode with a wide, lightly doped near intrinsic semiconductor region between a p type semiconductor and an n type semiconductor region. The p type and n type regions are typically heavily doped because they… …   Wikipedia

  • p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… …   Wikipedia

  • P-n junction — A p n junction is a junction formed by combining P type and N type semiconductors together in very close contact. The term junction refers to the region where the two regions of the semiconductor meet. It can be thought of as the border region… …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»